CMP (化学機械研磨) プロセスは、半導体製造においてデバイス性能や歩留まりに直結する重要な工程であり、研磨スラリーや研磨パッド、研磨条件などの因子がウェハー表面の仕上がりに大きく影響する。 粘弾性測定は、スラリー中の粒子分散状態やパッドのドライ/湿潤状態における弾性率を評価でき、プロセス最適化に有用である。
CMPプロセス(イメージ)ウェハー表面を化学反応で軟らかくし、物理的な研磨で平坦化
以下の模擬試料を用意し、評価を行った
・研磨スラリー 粒子分散状態の異なる3 試料 ・研磨パッド ポリウレタンフォーム
測定方法:周波数依存性測定(ずりモード) (試料を薄めることなく、スラリー原液の分散性を評価できる) ポイント 低周波数側の貯蔵弾性率G’は、粒子間の相互作用(凝集状態)に大きく依存する
測定方法:水中温度依存性測定(引張モード) (水中測定以外に、湿度環境測定にも対応可) ポイント 吸水・吸湿性を有する材料では、 湿潤/ ドライ状態での粘弾性の温度依存挙動が異なる*1
検索番号:6d013
〒299-0265 千葉県袖ケ浦市長浦580-32
〒450-0003 愛知県名古屋市中村区名駅南1-24-30(名古屋三井ビル本館)
〒550-0004 大阪府大阪市西区靭本町1-11-7(信濃橋三井ビル)
〒740-0061 山口県玖珂郡和木町和木6-1-2
▶ホーム
▶プライバシーポリシー
Copyright © MITSUI CHEMICAL ANALYSIS & CONSULTING SERVICE, INC. All Rights Reserved.