走査型プローブ顕微鏡 (SPM) による
半導体材料の微細構造評価

概要


近年、材料は飛躍的な進歩を遂げており、特に半導体分野においては、微細化に伴う高性能化が進んでいる。走査型プローブ顕微鏡(SPM)は、ナノスケールの微細な構造や物性を非破壊で測定・評価できる顕微鏡であり、ゲート酸化膜の表面粗さ、化学機械研磨(CMP)後の平坦性、レジスト残渣や欠陥評価など、半導体製造工程においてSPM は欠かせない存在である。


パターンウェハの表面形状評価


CMP 処理後パターンウェハ (8インチ)
mcanac

半導体チップの表面形状評価


半導体チップ(数mm角)
mcanac
糊残り無し(OK 品)
mcanac
Sa(平均面粗さ) 17.9 nm
糊残り有り (NG 品)
mcanac
Sa 29.3 nm

→ 表面粗さの違いが糊残りに影響したことが考えられた
※糊残り解析にはXPS, TOF-SIMS などの表面成分分析との組み合わせも有効

  • SPM はナノスケールの微細構造を迅速に測定可能
  • 数mm ~大型試料(8 インチ程度)の試料サイズに対応可能



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