概要

昇温脱離質量分析(TDS-MS)法により半導体中の微量成分を分析する。

分析試料
Si上にコートした無機系SOG(Spin On Glass)膜
分析手法
昇温脱離質量分析法によるSOG膜中に存在する残留揮発分を分析する。
分析装置: EMD-WA1000S(タンデム排気仕様)
分析条件: 温度範囲(室温~1000℃)、昇温速度(60℃/min)
測定質量数(2、15、16、17、18、27、28、44)

●SOG膜のTDS分析結果(全質量数)

●TDS測定系の模式図

●SOG膜のTDS分析(水素)

ピーク面積より水素量を定量

※以下の表は横にスクロールします。

ピーク 極大温度 定量値/cm-2
1 230℃ 1.4×1014
2 380℃ 5.0×1014
3 570℃ 7.8×1014

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