概要

  • 次世代以降の半導体配線技術の開発において、絶縁膜の低誘電率化及びその配線化は重要課題であり、開発競争も熾烈である。
  • 配線に用いられる各材料及びプロセスの評価を目的として、FIB-TEMによる配線と絶縁層のナノレベルの微細構造観察に成功した。

試料御提供:半導体MIRAIプロジェクト様

  • FIB(集束イオンビーム)により配線の垂直方向に切り出し、高分解能TEMで観察した断面構造を示した。
  • 各層が明瞭に観察されると共に周期性多孔質無機膜のナノサイズの空孔や配向状態が観察される。
  • FIB-TEMは微細化するデバイスの極めて重要な評価手法であり、プロセス検証を加速する。

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