シリコン基板上ポリシリコン膜の金属汚染分析

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概要

シリコン基板上の薄膜の汚染評価において、薄膜表面の汚染は全反射蛍光X線により比較的簡便に評価できますが、膜全体になると膜を溶解してICP-MS(プラズマ質量分析)により測定する必要があります。溶解液には溶解液成分やSiが高濃度で含まれますので、マトリクス干渉や多原子イオン干渉により実際より高めの結果を与える場合があります。

弊社では、ポリシリコン膜の選択的溶解法を開発し、高濃度マトリクス(Si等)による干渉を除去する測定方法(コリジョンガス)を採用することによって、1000nmまでの薄膜の高感度汚染評価が可能になりました。

モデル実験

元素 検出限界 元素 検出限界
Na 1E+10 Cr 4E+09
Al 1E+10 Fe 4E+09
K 5E+09 Ni 3E+09
Ca 5E+09 Zn 3E+09

6インチウェハ換算 atoms/c?

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