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分析材料(分野)別

情報電子分野

 半導体 無機微量分析

ICP−MS法による基板表面の金属汚染の分析
多層膜の金属汚染分析
多層膜の金属汚染分析の前処理
シリコンウエハ金属汚染の局所分析
シリコン基板上ポリシリコン膜の金属汚染分析
高塩濃度中の微量元素の定量
超微量アンモニウムイオン(NH4+)の定量-イオンクロマト法-
クリーンルーム大気の分析(酸性・塩基性物質および金属成分の分析)
基板表面のイオン成分分析

 半導体 形態観察
FIB-TEMによる低誘電率材料/銅配線の微細構造観察
・半導体の電子顕微鏡による形態観察
 半導体 微量ガス分析
微小空間内面のアウトガス分析
TDS−MSによる半導体の分析(1)
 半導体 表面分析
・SIMSによる半導体の分析(1)
・SIMSによる半導体の分析(3)
・SIMSによる半導体の分析(4)
・SIMSによる銅(配線材)中の不純物元素の定量分析
 ディスプレイ・携帯電話の分析
電子部品のトータルソリューション
液晶パネルシール部の分析
ICチップの断面観察(携帯電話の例)
電極部の断面監察(携帯電話の入力キー)
アロイ構造の解析(携帯電話の筐体、表示部)
 ディスプレイ関連材料の分析

近赤外(NIR)によるエポキシ硬化反応の追跡
FT−IRによる高分子材料の解析
SAICAS(精密斜め切削装置)によるデプスプロファイル
FT−IRによるUV硬化樹脂の反応追跡
FT−IRによる熱硬化樹脂の反応追跡
UV硬化粘弾性測定
走査型プローブ顕微鏡による液晶の直接観察
有機EL部材の元素マッピング(面分析) 
・X線回折法による液晶の評価(1)(セル中における傾き角の測定)
・X線回折法による液晶の評価(2)(層間隔の温度依存性の測定)
液晶中のイオン成分の分析
原子間力顕微鏡による液晶素子の形態観察
・反強誘電性液晶の時間分解赤外分光測定
有機ELパネルの断面観察

 印刷記録
DVD記録マークの観察
 燃料電池

燃料電池の分析 
固体高分子形燃料電池(PEFC)−触媒の電気化学試験− 
固体高分子形燃料電池触媒の電気化学的試験(酸素還元性能の測定)
固体高分子形燃料電池触媒の電気化学的試験(白金表面積の測定)
固体高分子形燃料電池(PEFC)−触媒の初期特性評価−
固体高分子形燃料電池(PEFC)−触媒の耐久性評価(1)−
固体高分子形燃料電池(PEFC)−触媒の耐久性評価(2)−
固体高分子形燃料電池(PEFC)−電解質膜の溶出試験−
湿度・水中環境制御 粘弾性測定
電解質膜のガス透過試験

 太陽電池
太陽電池の分析・試験 
太陽電池用シリコンの不純物分析
シリコン系太陽電池の断面観察 −走査電子顕微鏡(SEM)−
シリコン系太陽電池の断面観察 −透過電子顕微鏡(TEM)−
AQUATRANによる水蒸気透過度測定
太陽電池用部材の耐久性試験 NEW
 二次電池
リチウムイオン二次電池の分析・試験 NEW
リチウムイオン二次電池 正極材の寿命試験前後の比較分析 NEW
リチウムイオン二次電池 負極材のTOF-SIMSによる表面解析 NEW
 薄膜・フィルム
ナノインデント(ナノ押し込み硬度)測定 -PETフィルム-
ナノインデンテーションによる表面ヤング率の測定
ナノスクラッチ測定法
マイクロ熱分析装置(μ−TA)
微小硬度計による基板の局所硬度測定
走査型レーザー顕微鏡
角度可変XPS分析法による有機物表面の分析
水溶性樹脂のTEM観察技術
 RoHS分析

WEEE&RoHS規制に基づく電気電子機器の有害物質
WEEE&RoHS規制 規制対応分析 鉛フリーはんだ及びめっき中の有害金属の分析
WEEE&RoHS規制 環境管理物質分析について

   
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