高分子薄膜の電気特性評価

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概要

微小領域の高分子薄膜の絶縁抵抗測定がプローブを用いることで可能となった。顕微鏡での観察下、必要な場所にプロービングでコンタクトした後、直流電圧を加え、サンプル内を通過した微小電流を計測することで、I-V特性、抵抗、絶縁破壊電圧を知ることができる。
(例:有機絶縁膜の微小電流測定及び絶縁破壊電圧測定)

測定概略図と測定例

高分子薄膜のI-V測定 一般に伝導電流は、低電界では電界に比例する(オーム則領域)電界が高くなると、電流は電界に対し非直線的に増加するようになり、最終的には絶縁破壊にいたる

高分子薄膜の抵抗測定 絶縁膜が1μmから200nmと薄くなるにつれ、抵抗値が下がっていることがわかる
なお、抵抗測定はすべて大気中において室温で実施している

試験条件例

導電性に高い基盤(例:AsドープSiウェハ)上に測定する高分子薄膜と塗布したサンプルをご準備ください

試験片寸法 2mm~4インチφ 対応厚み 約200nm~2μm程度
試験環境 2℃±/50±5%RH 前処理
(電極形成)
アルミ蒸着
スクリーン印刷

ご希望の試験条件があれば対応致しますので、お気軽にお問合せ下さい

検索番号6G011

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