誘電率(εr)・誘電正接(tanδ)の測定
(マイクロ波帯/GHz帯)

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概要

円筒空洞共振器法により、マイクロ波帯/GHz帯の誘電率・誘電正接を測定する。下図に示す様に、2つに分割した円筒導体の間に試料を挟んで測定すると、透過電力特性図がえられる。これから、共振周波数、3dB減衰周波数(電力半減周波数)及び共振器の挿入損失ILが求まり、この値を文献に示された計算式に代入し、誘電率・誘電正接を求める。

応用例

  1. 高周波伝送材料の低損失化(低tanδ)
  2. コンピューター関連材料の低誘電率化(低ε)
  3. 上記に使用される高分子材料、積層基板などの評価

検索番号6G005

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