シリコンウエハ金属汚染の局所分析

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概要

ベアシリコンウエハ※上の任意に指定した箇所の金属汚染を分析する

  • VPD(気相分解)後、自動回収装置(NAS技研製SC-3000)を用いて任意に指定した箇所のサンプリングを行う。
  • 150~300mmシリコンウエハに対応
  • 分析法:誘導結合プラズマ質量分析法(ICP-MS法)
    ※厚い膜やSiO2膜以外の場合はご相談ください。

ウェハの局所分析例

検索番号3017

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